一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件

作者：王冲; 刘凯; 马晓华; 郑雪峰; 李昂; 赵垚澎; 何云龙; 郝跃

来源：2019-11-21, 中国, ZL201911150149.7.

本发明涉及一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件,包括：衬底层；若干沟道层,若干所述沟道层依次叠于所述衬底层上；栅极,设置在若干所述沟道层的两侧和顶部,并位于所述GaN晶体管器件的中间位置处,而且至少最底层的所述沟道层的两侧不设置所述栅极,其中,所述栅极包括栅介质层和栅金属层；源极,设置在所述若干沟道层上,并位于所述GaN晶体管器件的靠近一侧的位置处；漏极,设置在所述若干沟道层上,并位于所述GaN晶体管器件的靠近另一侧的位置处。本发明的GaN晶体管器件具有较小的开态电阻,同时具有较大的电流驱动能力,而且线性度高、功耗小。

• 单位
  西安电子科技大学