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摘要
本发明提出了一种AlGaN/GaN异质结垂直型场效应晶体管及其制作方法,该器件的主要特点是采用了特殊的漂移区即由N型漂移区与N+电流通道组成,同时利用AlGaN/GaN异质结形成的二维电子气和N+电流通道构造了新的电流通道,并且采用了P型屏蔽层。在正向导通时,P型屏蔽层几乎不会影响N+电流通道,可以获得较低的导通电阻。在器件关断时,随着漏极电压的升高,P型屏蔽层附近的耗尽区扩展,N+电流通路被夹断后,漂移区承担反向偏压,可以获得较高的击穿电压,因此弱化了击穿电压与漂移区浓度之间的矛盾关系。结合以上优势,与传统垂直型场效应晶体管相比,本发明提出的结构能承受更高的耐压,同时具有更低的导通损耗。
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