连续生长的双面CeO_2种子层均匀性研究

作者：熊杰; 陶伯万; 韩晓; 贺镜谭; 冯啸; 宋晓科; 张飞; 李言荣

来源：稀有金属材料与工程, 2008, S4: 115-118.

• YBa2Cu3O7-δ涂层导体
• 双面带材
• CeO2/YSZ/CeO2缓冲层
• 直流反应磁控溅射 YBa2Cu3O7-δ coated conductors
• double sided
• CeO2/YSZ/CeO2 buffer layers
• D.C. sputtering technique

采用直流反应磁控溅射方法在轧制辅助双轴织构Ni-5at%W基带上,成功连续制备出可用作第二代高温超导带材过渡层的高质量双面CeO2种子层薄膜。X射线衍射表明薄膜均为(00l)方向生长,并存在很强的内面外织构;原子力显微镜表征缓冲层表面连续平整,颗粒致密无裂纹,通过对长样品两面和不同位置研究,表明所制备得到的双面薄膜具有很好的两面一致性和单面均匀性。采用相同的工艺条件生长YSZ中间层以及CeO2模版层得到CeO2/YSZ/CeO23层缓冲层结构。并在其短样上采用直流溅射生长YBCO薄膜进一步验证过渡层薄膜的质量,YBCO薄膜具有较高的结晶质量;其单面临界电流密度Jc达到1.3MA/cm2,双面带...

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室