制备超薄金属透明导电膜的研究进展

作者：章嵩; 徐文华; 涂溶; 李俊^*

来源：应用化工, 2021, S2: 328-334.

DOI：10.16581/j.cnki.issn1671-3206.2021.s2.083

• 超薄金属薄膜
• 透明导电膜
• 阈值厚度
• 连续生长

随着柔性光电子器件的迅速发展，市场对透明导电薄膜提出了更高的要求。超薄金属薄膜具有优越的光电性能和良好的机械稳定性，成为了替代铟锡氧化物的理想材料。然而金属薄膜在基底上常为三维岛状生长模式，制备高导电性和透光性的金属薄膜具有很大的挑战。目前常见的制备超薄金属薄膜的方法有预沉积金属种子层、基底表面改性、掺杂、低温基底等。其中基底表面改性通过在基底上形成能与基底和薄膜产生键合作用的聚合物分子层，从而抑制金属原子的扩散，增强成核。该方法制备工艺简单、不会影响薄膜性能，是制备超薄金属薄膜的理想方法。预沉积金属种子层和掺杂都能增强金属薄膜在基底上的润湿性，然而引入的异质金属会带来薄膜的光学和电学损耗。低温基底能够抑制金属原子的扩散，然而该方法设备复杂，生产成本较高。本文概述了制备超薄金属透明导电膜的最新研究进展，介绍了降低薄膜阈值厚度、提高薄膜质量的几种方法和原理，最后讨论了未来超薄金属透明导电膜的研究方向。本文综述了目前制备超薄金属透明导电膜的常见方法，包括预沉积金属种子层、基底表面改性、掺杂、低温基底等方法，最后做出了总结并对未来研究趋势进行了展望。

• 单位
  武汉理工大学; 材料复合新技术国家重点实验室