摘要

为进一步研究忆阻器及其应用,提出了一个具有隐藏吸引子的光滑5维忆阻超混沌系统,通过绘制相图和李雅普诺夫指数谱,验证了系统的混沌特征。分析了系统的分岔参数,实现了对两个状态变量的偏移增量控制,进行了吸引子的调幅分析。在此系统中发现了基于初值的超级多稳态现象。揭示了当初值分别沿着x轴、u轴及x-u平面内的不同直线移动时,关于吸引子偏移增量控制的新现象。最后,建立了系统的非线性电路模拟方程,验证了所提出的磁通控制忆阻系统物理实现的可行性。

全文