Ge_mSi_n(m=1,2;n=1～7)团簇结构与性质的密度泛函理论研究

作者：刘霞; 王献伟; 赵高峰; 郭令举; 罗有华

来源：河南大学学报(自然科学版), 2008, (01): 17-21.

DOI：10.15991/j.cnki.411100.2008.01.004

• GemSin(m=1
• 2
• n=1～7)团簇
• 密度泛函理论(DFT)
• 结构与性质

采用密度泛函理论(DFT)对GemSin(m=1,2;n=17)团簇的结构及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-311G水平上进行了结构优化和频率分析,得到了各团簇的最低能量结构.对最稳定结构的二阶能量差分、分裂能、成键特性等性质进行了理论研究.结果表明:GemSin团簇的稳定结构与Sis(s=m+n)团簇的结构相似,相同尺寸的混合团簇原子间的成键特性非常相似,这为找到大尺寸的GemSin团簇稳定结构提供了一条有效途径.电荷主要是从Ge原子转移到Si原子.在所研究的团簇中,GeSi3,GeSi6,Ge2Si2,Ge2Si5的结构较稳定.

• 单位
  河南大学; 物理与电子学院