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摘要
随着材料质量和器件工艺的不断进步,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能也得到了不断提升。为了追求更高的器件性能指标,众多研究者一直在探索新的器件结构,双沟道异质结构就是其中一种。与传统的单沟道异质结构器件相比,双沟道异质结构具有更高的二维电子气(2DEG)面密度和更好的导电性,并且双沟道结构可以通过结构变化,得到具有不同浓度的2DEG沟道,这些沟道可以起到不同的作用,可以灵活设计各种新型器件。因此,对GaN基双沟道异质结构材料和器件开展研究具有重要的意义。 本论文围绕新型双沟道AlGaN/GaN异质结构材料和器件的研制,从理论和实验两方面开展了深入的研究。主要工作如...
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