采用脉冲激光沉积技术在柔性云母衬底上制备高质量的Pb(Zr0. 52Ti0. 48)O3(PZT)外延薄膜.引入NiFe2O4作为外延生长种子层,实现PZT薄膜的(111)取向外延生长.电学性能测试显示其具有优异的铁电压电性能,在未弯曲时,剩余极化(2Pr)值和压电系数(d33)分别为55μC/cm2和87 pm/V.柔性PZT存储单元在弯曲、变温等条件下的铁电保持、疲劳性能测试显示其具有可靠稳定的信息存储功能.该结果表明柔性PZT薄膜在可穿戴电子器件领域具有重要的应用前景.