SiC薄膜材料理论模拟研究的动态

作者：盖志刚; 罗崇泰; 陈焘; 张平

来源：真空与低温, 2010, (01): 1-5.

• SiC材料
• 理论模拟
• 研究现状
• 发展趋势

SiC因其宽的禁带宽度、高的电子饱和速度、大的临界击穿场强、高的热导率和热稳定性等特性而成为制作高频、大功率和耐高温器件的理想材料。综述了SiC材料的理论研究现状和发展趋势,并对研究方法和结果进行了简要的评述。