摘要
采用硼/碳热还原-热压烧结集成工艺制备了高纯致密的Ce_(1-x)Gd_(x)B_(6)(x=0.1~0.4)多晶块体,系统研究Gd共掺杂CeB_(6)对其结构、力学性能与电学特性的影响。结果表明,Ce_(1-x)Gd_(x)B_(6)呈CsCl型简单立方单相结构,多晶块体力学性能优异,显微硬度可达22.72 GPa (x=0.1),Ce_(1-x)Gd_(x)B_(6)阴极电阻率随着Gd含量的增加逐渐上升。热电子发射性能结果表明,Gd掺杂能够改善CeB_(6)阴极材料的发射特性,在测试温度1573 K,外加电压1 kV条件下,Ce_(0.9)Gd_(0.1)B_(6)阴极的发射电流密度为956 mA·cm~(-2),零场发射电流密度为213.8 mA·cm~(-2),Ce_(1-x)Gd_(x)B_(6)阴极在1323~1573 K中低温范围内平均有效功函数为1.985 ~2.01 eV。第一性原理计算结果表明,Gd掺杂CeB_(6)可减弱近费米能级Ce 4f态电子的局域化程度,引起费米能级升高,减小电子逸出功,增强阴极的发射电流密度。
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