FBAR滤波器的底电极图形化工艺研究

作者：倪烨; 任秀娟; 段英丽; 张智欣; 陈长娥; 于海洋; 孟腾飞

来源：电子与封装, 2023, 23(05): 89-92.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0039

• FBAR滤波器
• 晶圆制造
• 图形化
• 斜坡形貌

对薄膜体声波谐振器（FBAR）滤波器晶圆制造过程中的关键工艺——底电极图形化工艺进行了研究。通过优化光刻工艺中的焦面和曝光量，制作出了角度约为50°的胶图形；同时调整干法刻蚀设备的工艺参数，实现了角度为10.91°的底电极侧壁斜坡形貌结构，为FBAR滤波器的芯片制造工艺研究打下基础。