低介电常数和高断裂韧性的POSS-降冰片烯/聚酰亚胺复合膜

作者：陈植耿; 刘述梅; 赵建青

来源：中国化学会2017全国高分子学术论文报告会, 中国四川成都, 2017-10-10.

• POSS
• 聚酰亚胺
• 低介电
• 断裂韧性

传统的POSS/聚酰亚胺（PI）复合膜往往存在相容性差的问题,从而导致在降低PI膜介电常数的同时,明显降低PI膜的断裂韧性。本文针对这一问题,提出以降冰片烯二酸酐和马来酰亚胺基七异丁基POSS为单体制备交替共聚物P（NA-alt-MIPOSS）,并将其引入到PI基体中,制备出同时具有低介电常数和高断裂韧性的POSS/PI复合膜。P（NA-alt-MIPOSS）能够在极性溶剂中自组装成球形颗粒,在颗粒表面的酸酐可与PI分子链形成共价键,完善POSS和PI的相容性。P（NA-alt-MIPOSS）的引入,一方面可以增加PI的自由体积,降低其介电常数;另一方面可以在PI膜拉伸时吸收能量产生银纹和孔洞,大幅提高其断裂韧性。当P（NA-alt-MIPOSS）的含量为4wt%时,POSS/PI复合膜的介电常数从3.14降至2.09;同时,该膜的拉伸断裂能从6.84MJ/m3提高到23.5MJ/m3。

• 单位
  华南理工大学