蒸发速率对硅衬底电子束蒸发钛薄膜性能的影响

作者：李兆营

来源：电镀与涂饰, 2023, 42(01): 31-34.

DOI：10.19289/j.1004-227x.2023.01.006

• 电子束蒸发
• 硅衬底
• 钛
• 蒸发速率
• 方块电阻
• 残余应力
• 表面粗糙度

采用电子束蒸发法在硅衬底表面制备Ti薄膜。采用原子力显微镜、四探针电阻测试仪和应力测试仪分析了在不同蒸发速率下所得Ti薄膜的表面粗糙度、方块电阻和残余应力。结果表明，随着蒸发速率从0.1 nm/s升高到1.0 nm/s,Ti薄膜的表面粗糙度和方块电阻逐渐降低。不同蒸发速率下所得Ti薄膜的残余应力均为压应力，并且随蒸发速率的升高而增大。