科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明公开了一种掺钽氧化物半导体材料,由氧化锌基材料和钽组成。该半导体材料由Ta2O5、Al2O3、In2O3以及ZnO四种原料通过共溅射或直接溅射的方法制备而成,其应用于制备薄膜晶体管。本发明的掺钽氧化物半导体材料具有电子迁移率较高,关态电流低,开关比高等特点；利用本发明的掺钽氧化物半导体材料作为沟道层的薄膜晶体管制备方法简单,温度低,成本低。值得的薄膜晶体管具有载流子关态电流低及开关比高等优点。
- 单位
本发明公开了一种掺钽氧化物半导体材料,由氧化锌基材料和钽组成。该半导体材料由Ta2O5、Al2O3、In2O3以及ZnO四种原料通过共溅射或直接溅射的方法制备而成,其应用于制备薄膜晶体管。本发明的掺钽氧化物半导体材料具有电子迁移率较高,关态电流低,开关比高等特点；利用本发明的掺钽氧化物半导体材料作为沟道层的薄膜晶体管制备方法简单,温度低,成本低。值得的薄膜晶体管具有载流子关态电流低及开关比高等优点。
