摘要

<正>Parmod Kumar等人采用射频溅射法在硅基板上制出ZnO薄膜,再植入氮离子。原始ZnO薄膜的饱和磁化强度为2.45×103 A/m,当离子流为1×1017离子/cm2时,植入氮的ZnO饱和磁化强度提高一倍,其光带隙由3.27eV减小为3.04eV。该研究对于在ZnO薄膜植入非磁性N离子赋与铁磁性的现象,提出了