Si基GaN材料寄生导电层的研究

作者：倪金玉; 李忠辉; 孔岑; 周建军; 陈堂胜; 郁鑫鑫

来源：固体电子学研究与进展, 2013, (04): 312-316.

• 硅基氮化镓
• 寄生导电层
• 氮化镓高电子迁移率晶体管

通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)微波功率性能和击穿性能的不良影响。通过材料生长工艺的优化,降低了寄生导电层的导电性,获得了击穿电压超过320V的Si基GaN HEMT功率电子器件。