功率集成器件及其兼容技术的发展

作者：乔明; 袁柳

来源：电子与封装, 2021, 21(04): 75-90.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0414

• 功率集成器件
• 横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
• 横向绝缘栅双极型晶体管
• BCD工艺
• 兼容技术

功率集成器件在交流转直流(AC/DC)电源转换IC、高压栅驱动IC、LED驱动IC等领域均有着广泛的应用。介绍了典型的可集成功率高压器件,包括不同电压等级的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)以及基于硅和SOI材料的横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),此外还介绍了高低压器件集成的BCD工艺和其他的功率集成关键技术,包括隔离技术、高压互连技术、d V/dt技术、di/dt技术、抗闩锁技术等,最后讨论了功率集成器件及其兼容技术的发展趋势。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室