基于GaN器件的PFC设计

作者：张卫平; 焦探^*; 刘元超

来源：电源学报, 2019, 17(03): 78-82.

DOI：10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.78

• GaN晶体管
• PFC整流器
• 高频
• 高功率密度

针对氮化镓GaN(gallium nitride)功率晶体管在AC-DC变换器当中的应用进行设计。首先,在了解GaN器件的基本特性后,通过LTspice仿真软件搭建了PFC电路,分析了GaN寄生参数对驱动电路的影响,得出的结果对PFC的PCB布局有明显的帮助,应尽量减小驱动器与GaN器件之间的距离,从而达到降低寄生电感的作用;然后,对高频Boost PFC电路进行了分析以及电感和电容的设计;最后,通过仿真验证了设计的正确性,并以UC3854为控制器搭建了1台2.5 kW 500 kHz的高功率密度PFC样机,测得的驱动波形稳定。

• 单位
  北方工业大学