高压二极管阻断I-V特性研究

作者：赖桂森; 谢桂泉; 郭卫明; 王晨涛; 焦石; 洪波; 张磊^*

来源：固体电子学研究与进展, 2023, 43(04): 302-323.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2023.04.008

• 高压二极管
• 击穿电压
• 电场

针对高压二极管在终端工艺中出现的3种阻断I-V特性进行了相关测试分析，通过TCAD模拟仿真，结合器件内部电场和漏电流分布，理论研究了3种不同终端负斜角角度对其阻断I-V特性的影响，阐述了导致器件击穿电压降低和软击穿的本质机理。研究结果表明，当终端负斜角θ<1°时，器件获得了低电压的硬击穿特性；当1°≤θ<3°时，器件可获得最佳阻断电压的硬击穿特性。导致硬击穿的本质原因是峰值电场位于有源区边界或靠近边界的位置。对于θ≥3°，高的峰值电场靠近终端区斜角表面边缘而导致I-V呈软击穿特性。

• 单位
  许继电气股份有限公司; 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司; 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司广州局