一种复合终端结构的氧化镓肖特基二极管及其制备方法

作者:张春福; 刘丁赫; 张泽雨林; 陈大正; 张进成; 郝跃
来源:2023-10-13, 中国, CN202311328044.2.

摘要

本发明涉及一种复合终端结构的氧化镓肖特基二极管及其制备方法,二极管包括:N型氧化镓衬底层、N型氧化镓外延层、第一金属层、P型材料层、介质层和第二金属层;第一金属层、N型氧化镓衬底层、N型氧化镓外延层自下而上依次层叠;P型材料层位于N型氧化镓外延层的部分表面上,且具有自N型氧化镓外延层的露出表面至两侧厚度逐渐增加的第一级斜面;介质层位于P型材料层的部分表面上,且具有自P型材料层的露出表面至两侧厚度逐渐增加的第二级斜面;第二金属层覆盖N型氧化镓外延层的露出表面、第一级斜面、P型材料层的露出表面和第二级斜面的部分表面。该二极管形成双斜面双台面器件结构,可以有效改善器件结边缘的电场集中效应。