锇掺杂单层SnS2对SOF2和SO2F2吸附特性

作者:桂银刚*; 陈盈; 唐超; 陈显平
来源:电工技术学报, 2022, 37(15): 3923-3931.
DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.210672

摘要

基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算,研究了SOF2和SO2F2两种SF6分解气体在SnS2及Osn(n=1~2)掺杂改性的SnS2材料表面的气敏响应。从吸附能、能带结构、态密度、前线轨道等方面,对比分析三种材料分别对SOF2及SO2F2的气敏响应机理。研究发现,本征SnS2对SOF2及SO2F2的气敏响应特性不佳,但在Os掺杂后,掺杂处成为材料表面的活性位点,有效地提高了两种气体在SnS2表面的气敏响应特性:Osn-SnS2(n=1~2)对SOF2表现出良好的吸附效果,其中Os2-SnS2对SO2F2也具有理想的传感特性。该研究为实验开发用于检测SF6分解气体的高性能气敏传感器提供了理论基础。

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