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摘要
高速电光调制器是宽带光通信网络和微波光子系统中的关键元器件之一。相对于体材料铌酸锂而言，薄膜铌酸锂材料由于其较强的光场限制能力，在构建小尺寸、宽带、低半波电压的高性能电光调制芯片上有独特的优势。文章基于薄膜铌酸锂材料研制了一种3 dB带宽不低于50 GHz的电光调制芯片，并采用光纤与波导水平端面耦合的光学封装方案和基于1.85 mm同轴接头的射频封装方案，实现了全封装的薄膜铌酸锂电光调制器。测量结果表明，封装后器件的光学插入损耗小于等于5 dB,3 dB带宽大于等于40 GHz,射频半波电压小于等于3 V@1 GHz。
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