摘要

在温度或强电磁场的作用下,二氧化钒(VO2,vanadium dioxide)材料会产生相变,电导率发生显著变化。本文采用二氧化钒薄膜替换典型能量选择表面(ESS,Energy Selective Surfaces)中的半导体器件,得到了基于二氧化钒的新型能量选择表面结构。当正常信号入射时,二氧化钒薄膜的电导率较低,信号几乎无损耗的透过ESS;强电磁波入射时,二氧化钒薄膜的电导率增大,从而起到屏蔽作用。通过CST仿真,进一步探讨了周期单元宽度、金属单元长度和宽度等三个因素对于新型ESS的插入损耗和屏蔽效能的影响。

  • 单位
    国防科学技术大学