新能源汽车用1200V/600 A SiC功率模块

作者：李士颜; 牛利刚; 陈谷然; 刘强; 黄润华; 柏松; 杨勇

来源：固体电子学研究与进展, 2021, 41(04): 323.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2021.04.014

<正>南京电子器件研究所自主研发了基于自对准沟道的低导通电阻SiC MOSFET技术,采用6英寸SiC MOSEET工艺平台,研制出1 200V,25mΩ SiC MOSFET大容量芯片,图1(a)为晶圆图片。攻克子多芯片并联均流设计、低寄生参数封装等关键技术,研制出一款新能源汽车用1 200V/600 A SiC功率模块,如图1(b)所示。该款模块由48颗SiC MOSFET芯片封装组成,采用Pin-fin直接水冷结构,三相全桥拓扑结构。