一种基于ScAlN势垒层的肖特基二极管及其制备方法

作者：赵胜雷; 朱丹; 张进成; 陈大正; 王中旭; 刘志宏; 宁静; 郝跃

来源：2020-08-28, 中国, CN202010887572.1.

本发明涉及一种基于ScAlN势垒层的肖特基二极管及其制备方法,此肖特基二极管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层、帽层和钝化层；阳极凹槽,设置于所述缓冲层的上表面,且位于所述缓冲层、所述插入层、所述势垒层、所述帽层和所述钝化层的同一侧；阳电极,位于所述阳极凹槽内；阴电极,设置于所述帽层的上表面,且位于所述钝化层远离所述阳电极的一侧。本ScAlN势垒层的肖特基二极管及其制备方法,通过采用ScAlN材料的势垒层,可大幅度增大二维电子气面电荷密度,进而增大输出电流,实现高输出功率。同时,阳电极位于采用全凹槽结构的阳极凹槽内,可降低本肖特基二极管开启电压和导通电阻。

• 单位
  西安电子科技大学