摘要
一种缺陷可控的单层非晶氧化镓的单双极共存阻变存储器及制备方法,装置包括从下到上依次设置的下电极、阻变材料层和上电极;下电极、阻变材料层、上电极均为单层结构,下电极采用Pt衬底,阻变材料层采用非晶氧化镓薄膜,上电极采用活性电极Ag;其中阻变材料层采用磁控溅射的方法制备,通过改变磁控溅射过程中氩氧气流量的比例可以实现非晶氧化镓薄膜中氧缺陷浓度的调控,使得器件同时具备单极性和双极性模式,而且在单双极可逆转变中仅使用同一限流,相同的限流条件可以简化集成阻变存储器外围的电路设计,以此来减小集成电路面积并降低电路功耗。最后,使用真空蒸镀设备进行100-200nm上电极Ag的制备。本发明简化了工艺流程,且具有结构简单、功耗低以及器件性能高等优点。
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单位西安电子科技大学芜湖研究院