碲镉汞器件光敏元电容测试与分析

作者：任士远; 林春^*; 魏彦锋; 周松敏; 王溪; 郭慧君; 陈路; 丁瑞军; 何力

来源：红外技术, 2019, 41(05): 413-417.

• HgCdTe
• 电容
• 载流子浓度
• 缓变PN结

报道了液氮温度下对HgCdTe器件进行电容测试的方法。标定了仪器寄生电容以及杜瓦寄生电容,并利用该测试结果计算得到PN结区附近的载流子浓度和相应的深度等数据。对比了碲镉汞常规PN结器件与雪崩光电二极管(APD)器件的耗尽层宽度以及N区载流子浓度。

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 上海科技大学; 中国科学院大学