双沟槽SiC MOSFET重离子单粒子效应研究

作者：李洋帆; 郭红霞^*; 张鸿; 白如雪; 张凤祁; 马武英; 钟向丽; 李济芳; 卢小杰

来源：Acta Physica Sinica, 2023, 1-18.

• 双沟槽SiC MOSFET
• 重离子辐照
• 单粒子烧毁

<正>本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管开展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验，分析了器件产生单粒子效应的物理机制。实验结果表明，辐照过程中随着初始偏置电压的增大，器件漏极电流增长更明显

• 单位
  湘潭大学; 西北核技术研究所; 工业和信息化部