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摘要
本申请实施例涉及半导体器件技术领域,特别涉及一种具有肖特基岛结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法,该晶体管包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层,以及源极、漏极、氮化物层和钝化层、至少一个位于势垒层上方的肖特基岛以及位于氮化物层上的栅极；其中,源极和漏极分别与势垒层形成欧姆接触；氮化物层位于源极和漏极之间,钝化层位于源极和氮化物层之间、氮化物层和漏极之间；肖特基岛位于氮化物层的一侧或两侧,且肖特基岛与所述势垒层形成肖特基接触；栅极的底部与氮化物层形成欧姆接触或肖特基接触。本申请实施例能够解决常规HEMT器件在较低工作电压下容易发生烧毁的问题,提高了P型氮化物栅HEMT器件的单粒子烧毁电压。
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