沿面电场对GIS绝缘子闪络电压的影响

作者:刘琳; 李晓昂; 张乔根*; 梁成军; 李志兵
来源:高电压技术, 2020, 46(08): 2906-2913.
DOI:10.13336/j.1003-6520.hve.20200619004

摘要

为分别探究绝缘子沿面合成场强、切向场强分量和法向场强分量对其闪络电压的影响,以不同沿面电场分布的48种环氧支柱绝缘子试样为研究对象,根据其在标准雷电波下的闪络电压,与有限元法计算的沿面电场分布结果,分析了绝缘子沿面合成场强最大值Emax、切向场强最大值Etmax、法向场强最大值Enmax对其沿面闪络电压Uf的影响规律。结果表明,Emax、Etmax、Enmax与Uf的相关度分别为-0.90、-0.84、-0.73。根据气体放电理论分析可知,Emax是影响绝缘子沿面闪络放电起始以及放电形式转变的主要因素,Etmax是影响绝缘子沿面闪络发展的次要因素。但根据气-固界面静电场衔接条件可知,通过改变绝缘子形状和电极结构来减小Enmax能够有效降低Emax,同时可以有效抑制绝缘子表面电荷的积聚。因此,建议将沿面合成场强、切向场强、法向场强控制值一同纳入绝缘子电场设计规范。

  • 单位
    电力设备电气绝缘国家重点实验室; 中国电力科学研究院有限公司; 西安交通大学

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