原位氟掺杂的金属氧化物薄膜及其制备方法和薄膜晶体管

作者：陈荣盛; 尹雪梅; 钟伟; 李国元; 邓孙斌; 郭海成

来源：2021-04-12, 中国, CN202110387776.3.

本发明公开了一种原位氟掺杂的金属氧化物薄膜及其制备方法和薄膜晶体管,其中制备方法包括以下步骤：在基片上沉积一层材料为原位氟掺杂的锡锌氧化物的薄膜；所述薄膜为非晶型的微观结构；沉积时,所述基片上的温度为20℃～200℃。薄膜晶体管包括有源层,所述有源层采用上述的制备方法制成。本发明提供一种简单的原位氟掺杂的锡锌氧化物薄膜的制备方法,为薄膜晶体管提供新的制备方式,具有更加环保和低成本的优点。本发明可广泛应用于半导体技术领域。

• 单位
  华南理工大学