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摘要
隧穿氧化硅钝化接触(TOPCon)晶体硅太阳电池被广泛认可为下一代高效太阳电池技术，n型TOPCon技术已成为当前新上生产线的主流方案。p型TOPCon技术虽然更加适合p型晶体硅太阳电池产业生态，却因其关键钝化接触性能提升困难、已有技术方案不适合量产等因素而发展缓慢。基于p型TOPCon技术的重要性，详细介绍了p型TOPCon技术的研究进展，并探讨了制约该技术钝化性能提升的关键科学问题。从国内外的研究结果来看，分别基于LPCVD技术及PECVD技术的p型TOPCon技术在钝化性能上均取得了进步，获得最高隐含开路电压(对应的最低单面饱和电流密度)分别达到737 mV(2 fA/cm2)和732 mV(约5 fA/cm2)的p型TOPCon结构，已初步显示出产业应用潜力。开发具有产业应用价值的p型TOPCon技术对晶体硅太阳电池产业的发展具有重要意义，值得全行业进一步深入研究。
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