Sn掺杂量对Sn-Mg共掺杂ZnO薄膜光电性能的影响

作者：王玉新; 王磊; 刘佳慧; 褚浩博; 蔺冬雪; 丛彩馨

来源：辽宁师范大学学报(自然科学版), 2020, 43(03): 327-332.

• ZnO薄膜
• 超声喷雾热解法
• Sn-Mg共掺
• 晶体结构
• 表面形貌
• 光电性能

采用超声喷雾热解法在石英衬底上制备了Sn-Mg共掺的ZnO纳米薄膜.借助X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),光致发光谱(PL谱),紫外-可见分光光度计(UV-Vis)和伏安特性曲线(I-V)等测试手段研究了Sn掺杂量的改变对薄膜的结构、形貌和光电性能的影响.结果表明,适量的Sn掺杂可以提高薄膜的表面形貌和光电性能.随着Sn掺杂量的增加,薄膜的(101)衍射峰强度、紫外发光峰、透过率和导电率都是先增加后减小,带隙能量值从3.350eV增加到3.651eV,并且平均透过率均在80%～87%之间.当Sn掺杂量为0.004时,薄膜结晶质量最好,表面最致密,晶粒大小最均匀,紫外发光峰强度最大,导电率最高.

• 单位
  辽宁师范大学