薄膜压力传感器高抗电介质层技术研究

作者：王立会; 郭伟龙; 张姗; 孟骁然; 赵广宏; 李文博; 尹玉刚; 金小锋

来源：遥测遥控, 2017, 38(05): 25-29.

DOI：10.13435/j.cnki.ttc.002883

• 压力传感器
• SiO2
• CVD
• 沉积条件
• 抗电能力

SiO2薄膜是薄膜压力传感器绝缘层的一种常用材料,其性能直接影响着传感器的抗电能力。利用化学气相沉积系统(CVD)对SiO2薄膜的制备工艺进行了探索和优化,通过改变射频功率、反应气体流量比,制备出适用于高抗电薄膜压力传感器的SiO2绝缘层,其抗电能力可达300V/AC。

• 单位
  北京遥测技术研究所