ZnO压敏电阻及其片式化技术

作者：陈涛; 傅邱云^*; 付振晓

来源：现代技术陶瓷, 2018, 39(06): 390-402.

DOI：10.16253/j.cnki.37-1226/tq.2018.07.007

• ZnO MLVs
• 非线性Ⅰ-Ⅴ特性
• 还原-再氧化
• 贱金属内电极

ZnO压敏电阻由于具有独特的非线性Ⅰ-Ⅴ特性而在电子电路中得到了广泛应用。随着电子产品向着小型化、高集成化和数字化方向发展,片式ZnO压敏电阻(ZnO MLVs)应用日益广泛。基于此,本文结合作者对ZnO压敏陶瓷还原-再氧化工艺及贱金属内电极的研究,介绍了目前ZnO MLVs的主要材料及工艺研究进展,并对片式ZnO压敏电阻的发展趋势提出了一孔之见。

• 单位
  华中科技大学; 光学与电子信息学院; 广东风华高新科技股份有限公司