MLC型NAND闪存中基于MI异构的Polar码优化

作者：张司琪; 孔令军^*; 张顺外; 张南

来源：应用科学学报, 2020, 38(03): 431-440.

• 多级单元
• polar码
• 闪存
• 巴氏参数

为了进一步提高多级单元(multi-level-cell, MLC)闪存的耐久度和可靠性,提出了一种MLC闪存信道中基于互信息量(mutual information, MI)异构的polar码优化方法.该方法利用对数似然比(log-likelihood ratio, LLR)分布在MLC闪存信道和AWGN(additive white Gaussian noise)信道中的差异性,以MI重新拟合LLR分布,得到在闪存信道下等效的标准方差,从而进行高密度存储系统中的polar码优化设计.随后,分析了不同的polar码构造法对多级存储单元的纠错性能影响,并与所提的构造方法进行比较.仿真结果表明该文优化方法优于AWGN信道下传统的构造方法,当编程/擦除(program-and-erase, PE)循环为21 000次时,与蒙特卡罗法相比其误码率(bit error rate, BER)性能提升2个数量级,且在BER为2×10-5时可增加6 800次的编程/擦除循环.

• 单位
  通信与信息工程学院; 南京邮电大学; 中国航天系统科学与工程研究院