声表面波器件用SiO2/ZnO/金刚石/Si多层结构制备

作者：陈良贤; 刘金龙^*; 闫雄伯; 邵明阳; 安康; 魏俊俊; 李成明

来源：金刚石与磨料磨具工程, 2019, 39(02): 1-7.

DOI：10.13394/j.cnki.jgszz.2019.2.0001

• 金刚石膜
• 磁控溅射
• SiO2/ZnO/金刚石/硅多层结构
• 声表面波器件

为获得高频、高性能金刚石声表面波器件的多层结构,在金刚石/Si衬底使用磁控溅射方法优化ZnO与SiO2薄膜沉积工艺参数,制备了具有正负温度系数组合的SiO2/ZnO/金刚石/Si多层结构,并对多层结构进行表征。结果表明:随着氩氧比增加,ZnO薄膜的沉积速率不断加快,薄膜的表面粗糙度不断增大;ZnO薄膜中的原子摩尔分数比随O2输入量的减少而逐渐接近理想的1∶1。不同氩氧比下制备的ZnO薄膜均呈(002)面择优取向生长,其中在氩氧比7∶1时,获得了具有细小柱状晶特征、C轴择优取向程度较高的ZnO薄膜。采用最优的ZnO和SiO2薄膜沉积工艺,在金刚石/Si衬底获得了具有清晰界面的SiO2/ZnO/金刚石/Si多层结构。

• 单位
  北京科技大学