镀镍硅基底上利用化学池沉积法制备二硫化钼膜

作者：魏荣慧; 杜凯; 巩晓阳; 陈庆东; 李立本; 杨海滨

来源：河南大学学报(自然科学版), 2012, (06): 699-702.

DOI：10.15991/j.cnki.411100.2012.06.002

• 化学池沉积
• MoS2膜
• Si基底
• 镍 chemical bath deposition
• MoS2 film
• Si substrates
• Ni

利用化学池沉积法在化学镀镍的n-Si基底上沉积MoS2薄膜.结果显示,MoS2膜的最佳合成条件为:钼酸铵浓度为10-4 mlo/L,退火温度为850℃.此时,得到具有六角晶形的Ⅱ型膜,MoS2膜晶体尺寸约200nm.没有Ni诱导层的MoS2膜结晶很差,无确定取向.相同条件下,以Ni为诱导层的样品为具有沿[002]取向的Ⅱ型MoS2膜,并且具有较好的六角晶形,说明Ni诱导层对于得到Ⅱ型MoS2膜的重要性.Ni诱导层的影响归于液态S-Ni相的形成并提供的沿[002]方向的生长动力.

• 单位
  吉林大学; 河南科技大学; 超硬材料国家重点实验室