基底温度对c-Si(100)面生长a-Si∶H薄膜结构特性影响的分子动力学模拟研究

作者：周耐根; 胡秋发; 许文祥; 吴小元; 黄海宾; 周浪

来源：人工晶体学报, 2014, 43(06): 1453-1459.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2014.06.044

• 温度
• 结构
• 薄膜
• 氢化非晶硅
• 分子动力学

运用分子动力学方法模拟了不同基底温度下在硅(100)表面沉积生长氢化非晶硅薄膜的过程。Si-H体系的原子间相互作用采用Murty-Tersoff势计算。结果得到:随着基底温度的升高,a-Si∶H薄膜表面粗糙度降低,内部致密度提高,H原子、Si-H键和悬挂键密度均减少。进一步分析发现,粗糙度和致密度随基底温度变化的原因是基底温度升高增大了表面原子的扩散能力;而H原子和Si-H键等含量随基底温度升高而下降是因为高温下Si-H弱键更易断键导致。悬挂键密度随基底温度升高而降低则主要是由于内部原子的晶化率增大引起。

• 单位
  南昌大学材料科学与工程学院