一种带有斜向扩展源的双栅隧穿场效应晶体管

作者：熊承诚; 孙亚宾; 石艳玲

来源：半导体技术, 2021, 1-7.

• 带带隧穿（BTBT）
• 双栅隧穿场效应晶体管（DG-TFET）
• 扩展源（ES）
• 开关电流比
• 亚阈值摆幅（SS）

设计并研究了一种带有轻掺杂漏（LDD）和斜向扩展源（OES）的双栅隧穿场效应晶体管（DG-TFET）,并利用Sentaurus TCAD仿真工具对栅长及扩展源长度等关键参数进行了仿真分析。对比了该器件与传统TFET的亚阈值摆幅、关态电流和开关电流比,并从器件的带带隧穿概率分析其优势。仿真结果表明,该器件的最佳数值开关电流比及亚阈值摆幅分别可达3.56×1012和24.5 mV/dec。另外,该器件在双极性电流和接触电阻方面性能良好。该DG-TFET具有较快的转换速率和较低的功耗。

• 单位
  华东师范大学; 电子工程学院