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摘要
采用中频磁控溅射技术制备了PbSeIn和PbSeTe两种掺杂PbSe薄膜,并采用理论模拟与实际实验相结合的方法研究了In和Te两种元素的掺杂机制及其对薄膜性能的影响。结果表明,In原子主要通过置换Pb原子的形式进行掺杂,而Te原子则主要置换Se原子;与未掺杂PbSe薄膜相比,PbSeIn和PbSeTe两种薄膜的光电敏感性均有一定提高,其中In掺杂PbSe薄膜的平均电阻变化率最高。这是由于In元素在PbSe薄膜禁带内形成深杂质能级,提高非平衡载流子寿命所导致的。而PbSeTe薄膜的光电敏感性则与未掺杂PbSe薄膜相近。
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单位中核核电运行管理有限公司; 材料学院; 北京科技大学
