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摘要
实验采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）技术，分别以高纯氮气（N2和三甲基镓（TMGa）作为氮源和镓源，改变TMGa流量，在镀锆(Zr)高硼硅玻璃衬底上低温沉积Ga N薄膜，并利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和室温光致发光（PL）谱对不同TMGa流量下沉积的Ga N薄膜样品的结晶取向、内部应力、表面形貌以及光致发光性能进行了检测。结果表明，当TMGa流量为1.6sccm时，低温沉积得到的GaN薄膜呈现高度的a轴择优取向，结晶性较好，内部应力得到了一定程度的释放，表面形貌呈现岛状生长，且岛的大小比较均匀。Ga N薄膜的室温光致发光峰发生了一定程度的红移。
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