PZT厚膜与Si衬底互扩散阻挡层研究

作者：陈冲; 吴传贵; 彭强祥; 罗文博; 张万里; 王书安

来源：压电与声光, 2013, (02): 261-264.

• 锆钛酸铅(PZT)厚膜
• 直流磁控溅射
• TiOx
• 热释电性能 PZT thick film
• DC magnetron sputtering
• Pyroelectric properties

在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,利用电泳沉积制备PZT热释电厚膜材料。为防止Pb和Si互扩散,在Pt底电极与SiO2/Si衬底间通过直流磁控溅射制备了TiOx薄膜阻挡层。对具有0、300nm和500nm TiOx阻挡层的PZT厚膜材料用SEM和能量色散谱仪(EDS)表征了Pb和Si互扩散情况,用动态热释电系数测量仪测试了热释电系数。结果表明,当TiOx阻挡层为500nm时,可阻挡Pb和Si互扩散,热释电性能最好。热释电系数p=1.5×10-8 C.cm-2.K-1,相对介电常数εr=170,损耗角正切tanδ=0.02,探测度优值因子Fd=1.05×10-5Pa-0.5。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学