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摘要
本发明公开了一种GaAs/MXene异质结太阳电池及其制备方法。该电池的结构由下至上依次为的Au背电极、GaAs衬底、MXene层、顶电极。本发明还公开了以上GaAs/MXene异质结太阳电池制备方法。采用电子束蒸发法在GaAs衬底背面蒸镀一层Au作为背电极；在砷化镓表面制备MXene膜；在MXene膜表面蒸镀Ag、Cr、Ti、Ni、Au中的一种或几种复合电极。本发明的GaAs/MXene异质结太阳电池不仅制备工艺简单,器件制作成本低廉,还可以利用MXene功函数灵活可变的优势,调节电池的输出特性,满足不同场景需求,有利于扩大砷化镓太阳电池的应用领域。
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