氧分压对直流磁控溅射制备ZnO：Ga透明导电薄膜特性的影响

作者：马全宝; 叶志镇; 何海平; 朱丽萍; 张银珠; 赵炳辉

来源：无机材料学报, 2007, (06): 1113-1116.

• ZnO：Ga
• 透明导电氧化物薄膜
• 磁控溅射
• 氧分压
• 光电特性 ZnO:Ga
• transparent conductive oxide film
• magnetron sputtering
• oxygen partial pressure
• electrical and optical properties

通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(znO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ca透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小,随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小,在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小,晶粒尺寸最大.薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大,沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10~(-4)Ω·cm.此外,所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%.

• 单位
  硅材料国家重点实验室