本发明公开了一种杨梅状V2O5纳米结构,包括自中心衍生生长出的一维V2O5纳米线,所述杨梅状V2O5纳米材料为斜方晶系结构,晶格常数为a=11.516?,b=3.566?,c=4.373?。本发明还公开了一种杨梅状V2O5纳米结构的制备方法,以偏钒酸铵溶液和H2O2为反应溶液,聚乙烯吡咯烷酮为表面活化剂,于密封的高压釜中反应得到。本发明制备方法操作简便,成本低,高重复性,可适用于大规模的工业生产;所制备的V2O5纳米材料杂质少,在纳米光电子领域具有广阔的应用前景。