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摘要
为了生产大面积、均匀的SiC涂层,需要对反应室内不同位置的沉积速率变化规律进行研究。将CH3SiCl3-H2-Ar体系化学气相沉积SiC过程简化为气相裂解、表面沉积两步,建立反应室二维反应-输运模型;利用计算流体力学(computational fluid dynamics,CFD)软件分析气流量、温度和压力对炉内垂直高度方向上沉积速率的影响。结果表明:不同气流量下,因气流滞留时间不同,沉积分布呈现不同的趋势,适中流量时沉积厚度均匀性较好,沉积速率较高;提高温度能改善高流速下沉积的不均匀性;流量一定,压力过高会引起自然对流漩涡。对比计算结果与相关实验数据,该两步简化模型可以反映不同条件下反应物的消耗和涂层的均匀性。
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