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摘要
金属有机化学气相沉积法,是一种广泛用来生长半导体和氧化物外延薄膜的技术,目前这项生长技术已经发展的相当成熟,在工业化生产中得到了广泛的应用,MOCVD方法最大的优点在于它生长速度快,容易实现大规模生产,而且此方法对均匀掺杂控制非常方便,同时生长速率和温度的控制范围都很大,所以可以方便地生长出复杂组分的精细结构,现有技术中的MOCVD设备,通入反应腔中的气体流场分布比较复杂,难以定向控制,影响薄膜生长质量,效率低下,同时消耗了反应物,提高了成本,也降低了薄膜的外延速度,为了解决上述问题本发明提供了一种MOCVD设备进气装置和反应腔的结构,以克服上述缺点。
- 单位
