晶圆键合和激光剥离工艺对GaN基垂直结构发光二极管芯片残余应力的影响

作者：王宏; 云峰; 刘硕; 黄亚平; 王越; 张维涵; 魏政鸿; 丁文; 李虞锋; 张烨; 郭茂峰

来源：Acta Physica Sinica, 2014, (02): 405-412.

• 残余应力
• 垂直结构发光二极管
• 晶圆键合
• 激光剥离 residual stress
• vertical light emitting diodes
• wafer bonding
• laser lift-off

Ga N基发光二极管(LED)中的残余应力状态对器件的性能和稳定性有很大影响.通过使用三种不同的键合衬底(Al2O3衬底,Cu W衬底和Si衬底)以及改变键合温度(290°C,320°C,350°C和380°C),并且使用不同的激光能量密度(875,945和1015 m J·cm-2)进行激光剥离,制备了不同应力状态的Ga N基LED器件.对不同条件下Ga N LED进行弯曲度、Raman散射谱测试.实验结果表明,垂直结构LED中的残余应力的状态是键合衬底和键合金属共同作用的结果,而键合温度影响着垂直结构LED中的残余应力的大小.激光剥离过程中,一定能量密度下激光剥离工艺一般不会对芯片中的残余...

• 单位
  陕西新光源科技有限责任公司; 西安交通大学