基于掺杂压电薄膜的FBAR制备及研究

作者：兰伟豪; 徐阳^*; 张永川; 蒋平英; 司美菊; 刘娅; 卢丹丹; 何西良

来源：人工晶体学报, 2020, 49(06): 1040-1043.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2020.06.005

• 压电薄膜
• AlScN薄膜
• 磁控溅射
• 机电耦合系数
• 薄膜体声波谐振器

薄膜体声波谐振器(FBAR)具有体积小、工作频段高、性能强等优势,在滤波器领域有广泛的应用前景,其最核心的功能层为压电薄膜。本文采用磁控溅射方法,在6英寸硅片上制备了AlScN压电薄膜。对AlScN薄膜进行了分析表征,结果表明,AlScN压电薄膜具有良好的(002)面择优取向,摇摆曲线半峰宽为1.75°,膜厚均匀性优于0.6%,薄膜应力为10.63 MPa,薄膜应力可调。制作了基于AlScN压电薄膜的FBAR谐振器,其机电耦合系数为7.53%。在AlN中掺杂Sc能够有效提高压电薄膜的机电耦合系数,对研究FBAR滤波器的宽带化有重要意义。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二十六研究所